精密位移傳感器技術(shù)比較

PIEZOCONCEPT 在其壓電級中使用什么類型的位移傳感器？為什么它優(yōu)于其他傳感器技術(shù)？

PIEZOCONCEPT 使用單晶硅傳感器，稱為Si-HR 傳感器。盡管它是應變儀傳感器大系列的一部分，但它的性能優(yōu)于其他兩種常用技術(shù)（電容式傳感器和金屬應變儀）。這兩種位置傳感技術(shù)有其自身的特定缺點。

電容式傳感器與 PIEZOCONCEPT 公司Si-HR 傳感器的比較

電容式傳感器非常常用。他們提供了不錯的表現(xiàn)，但他們對以下情況很敏感：

• 氣壓變化：空氣的介電常數(shù)取決于氣壓。電容測量將受到任何壓力變化的影響。

• 溫度變化：同樣的，空氣的介電常數(shù)會隨溫度變化

• 污染物的存在

以上所有都會導致一些納米級的不穩(wěn)定性，因此如果您想實現(xiàn)真正的亞納米級穩(wěn)定性，則需要將它們考慮在內(nèi)。即使可以對氣壓和溫度進行校正，也無法校正其他因素（污染物、脫氣）的影響。這解釋了電容式傳感器在真空環(huán)境中性能不佳的原因。此外，電容式傳感器非常昂貴且體積龐大。因此，帶有電容傳感器的位移臺不可能做的有像的 BIO3/LT3 這樣薄，即使設(shè)計的好也會在穩(wěn)定性方面進一步犧牲性能。

因為它是一種固態(tài)技術(shù)，所以Si-HR 傳感器的電阻不依賴于氣壓或污染物的存在。其次，溫度變化會對測量產(chǎn)生影響（主要是因為材料的熱膨脹），但這可以通過使用傳感器陣列來糾正?；旧希覀?yōu)槊總€軸平行使用 2 個硅傳感器 - 一個用于測量，另一個用于考慮由于溫度變化導致的材料膨脹。

金屬應變計與 PIEZOCONCEPT Silicon HR 技術(shù)的比較

金屬應變計與我們的 Silicon HR 技術(shù)（也是應變計）之間的差異更大。金屬應變計和硅傳感器應變計之間存在兩個巨大差異。

競爭對手試圖說所有的應變儀都具有相同的性能，因為它們測量的是應變。這是不正確的。半導體應變計在穩(wěn)定性方面與金屬應變計有很大不同。

金屬應變計和Si-HR 傳感器（PIEZOCONCEPT 使用）之間的第yi個區(qū)別是應變系數(shù)：半導體應變儀（Si-HR）的應變系數(shù)大約是金屬應變儀的 100 倍。更高的規(guī)格因子導致更高的信噪比，最終導致更高的穩(wěn)定性。    更重要的是，第二個區(qū)別是金屬應變計不能直接安裝在彎曲本身上（即實現(xiàn)運動的地方）：金屬應變計必須安裝在某種“背襯”上。因此，它必須安裝在執(zhí)行器本身上，因為您沒有足夠的空間將其安裝在撓性件上。僅在執(zhí)行器上測量的問題是壓電執(zhí)行器有很多缺陷......存在蠕變或滯后等現(xiàn)象。因此，由于壓電執(zhí)行器的伸長不均勻，因此僅測量執(zhí)行器的部分伸長率并不能精確地扣除其*伸長率。通過對彎曲本身進行測量，我們不會遇到這種“不均勻”問題。由于上述原因，如果您比較應變計（金屬）和 PIEZOCONCEPT 的Si-HR 傳感器，在信噪比和穩(wěn)定性方面存在巨大差異。 

關(guān)于法國PIEZOCONCEPT公司

PIEZOCONCEPT 是壓電納米位移臺領(lǐng)域的領(lǐng)憲供應商，其應用領(lǐng)域包括但不限于超分辨率顯微鏡、光阱、納米工業(yè)和原子力顯微鏡。其產(chǎn)品已被國內(nèi)外yi流大學和研究所從事前沿研究的知銘科學家使用，在工業(yè)和科研領(lǐng)域受到廣泛好評。 

多年來，納米定位傳感器領(lǐng)域電容式傳感器一直占據(jù)主導地位。但這項技術(shù)存在明顯的局限性。PIEZOCONCEPT經(jīng)過多年研究，開發(fā)出硅基高靈敏度位置傳感器（Silicon HR）技術(shù)，Si-HR傳感器可以實現(xiàn)更高的穩(wěn)定性和線性度，以滿足現(xiàn)代顯微鏡技術(shù)的更高分辨率要求。 

PIEZOCONCEPT的目標是為客戶提供一個物美價廉的納米或亞納米定位解決方案，讓客戶享受到市面上蕞高的定位準確性和穩(wěn)定性的產(chǎn)品使用體驗。我們開發(fā)了一系列超穩(wěn)定的納米定位器件，包含單軸、兩軸、三軸、物鏡掃描臺、快反鏡和配套器件，覆蓋5-1500um行程，品類豐富，并提供各類定制化服務。與市場上已有的產(chǎn)品相比具有顯著優(yōu)勢，Piezoconcept的硅傳感器具有很好的穩(wěn)定性、超本低噪聲和超高的信號反饋，該技術(shù)優(yōu)于市場上昂貴的高duan電容傳感器。因此，我們的舞臺通過其簡單而高效的柔性設(shè)計和超本低噪聲電子器件提供皮米級穩(wěn)定性和亞納米（或亞納米弧度）本底噪聲。

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