相位調(diào)制器-PDH穩(wěn)頻  PDH穩(wěn)頻技術(shù)

在許多應(yīng)用中，人們需要抑制激光器噪聲和穩(wěn)定其工作波長，應(yīng)用包括引力波探測（參見2017年諾貝爾物理學獎LIGO項目），以及原子物理、光學頻率梳和量子計算中的量子態(tài)光譜探測。常見的主動激光穩(wěn)頻技術(shù)之一是Pound-Drever-Hall技術(shù)，該技術(shù)將激光的發(fā)射頻率鎖定在穩(wěn)定、高精細度的諧振腔中。這項技術(shù)以Robert Pound, Ronald Drever and John L.Hall而命名。PDH技術(shù)早在1983年的《Applied Physics B》雜志上發(fā)表，“Laser phase and frequency stabilization using an optical resonator"。根據(jù)路透社2017年的報道，這篇論文被引用了2000多次。

“PDH方案具有難以置信的可靠性，真正成為了主流的鎖定機制。今天，這么多年過去了，我們?nèi)栽谟盟鼇韲L試制造線寬為幾mHz的超穩(wěn)定激光器"。Jun Ye博士，NIST。

“PDH技術(shù)是一種非常智慧和可靠的方法，以非常干凈的方式獲得Error誤差信號。還有其他一些各具特色的技術(shù)，但老實說，PDH技術(shù)絕對是迄今為止zui可靠的"。Pr Sylvain Gigan, Laboratoire Kastler Brossel.

PDH技術(shù)使用常見的光學外差光譜和射頻電子學方法，用標準具或法布里-珀羅F-P腔測量激光器的頻率，并將測量結(jié)果反饋給激光器，以抑制激光器的頻率偏差。其優(yōu)點包括響應(yīng)時間可能比腔的響應(yīng)時間更快。

PDH穩(wěn)頻相位調(diào)制器選擇適合的調(diào)制器給PDH應(yīng)用

下圖給出了PDH設(shè)置的示例。當激光器的頻率與腔的FSR（整數(shù)倍）*匹配時，反射光和漏光具有相同的振幅，并且相位差180°。因此兩束光相互干擾，反射光消失。

考慮到感興趣的激光源的窄線寬和所需的調(diào)制深度，iXblue開發(fā)了一系列用于實現(xiàn)PDH技術(shù)的優(yōu)化型相位調(diào)制器。

PDH穩(wěn)頻相位調(diào)制器與任何其他相位調(diào)制器相比，我們可以區(qū)分LN-0.1系列的優(yōu)點：

l  適應(yīng)低頻：直流耦合至200 MHz調(diào)制頻率

l  專用于給定的波長范圍。

l  極低的驅(qū)動電壓Vπ.

l  低插入損耗（LIL選項）。

l  高輸入阻抗，提高調(diào)制效率。

l  NIR版本的高偏振消光比（PER）。

l  低剩余幅度調(diào)制（Residual Amplitude Modulation-RAM）設(shè)計（EP3009879A1）

低頻相位調(diào)制器的現(xiàn)實優(yōu)勢

為光通信應(yīng)用而設(shè)計和開發(fā)的普通高速(GHz)電光調(diào)制器在射頻線的末端具有50歐姆負載電阻終端，以減少射頻電反射。當在低頻率下工作時，這種高速相位調(diào)制器在射頻微波線路中有過高的電流，這導致焦耳效應(yīng)的局部加熱。當頻率變得較低并且與熱效應(yīng)的時間常數(shù)相當時，熱循環(huán)和散熱就成了一個問題。因此，在加熱和冷卻過程中，電極、波導的物理特性會發(fā)生變化。

iXblue的LN-0.1相位調(diào)制器采用高輸入阻抗負載（10kΩ)抑制熱效應(yīng)或電極線開路(1 MΩ)的設(shè)計，PDH測試能證明這種調(diào)制器可在溫度變化時，性能穩(wěn)定在一個大的溫度范圍內(nèi)（-40℃到+85°C）

左圖： 50Hz信號時明顯有熱效應(yīng)，上面曲線為射頻電信號，下面為光信號。

右圖： 50KHz信號時無熱效應(yīng)，上面曲線為射頻電信號，下面為光信號。

當用電光調(diào)制器實現(xiàn)PDH技術(shù)時，在環(huán)境擾動期間引起誤差信號的畸變和非預期的頻率偏移時RAM總會出現(xiàn)的。當系統(tǒng)的不穩(wěn)定性逐漸降低到極低水平時，抑制或減輕RAM引起的頻率不穩(wěn)定性就變得越來越重要。iXblue為PDH設(shè)計并優(yōu)化了專用于減小RAM的低頻相位調(diào)制器。RAM可以通過在調(diào)制器注入一個直流電壓而降低，該電壓對應(yīng)于鈮酸鋰波導一個整體的負折射率變化。一個5-15V直流電壓足以將RAM降低>10 dB。LN-0.1系列內(nèi)部嵌入高阻抗射頻負載終端，不會被直流信號所損壞。